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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Vente Thyristors Asymétriques 438A applications

Vente Thyristors Asymétriques 438A applications

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-KN358A10

Additional Info

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

Thyristor Asymétrique Applications

YZPST-KN358A10

Applications thyristors asymétriques 15V des caractéristiques:. Centre Configuration de la porte d'amplification . Temps d'extinction maximum garanti

. Toute la structure diffuse . Capacité de blocage jusqu'à 2000 volts

. Capacité élevée dV / dt . Dispositif assemblé sous pression


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET ÉVALUATIONS


Blocage - État désactivé

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

15

1000

15

V RRM = tension inverse crête répétitive

V DRM = Tension d'état de crête répétitive

V RSM = tension inverse crête non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

5 mA

40 mA (3)

Critical rate of voltage rise (4)

dV/dt

1000 V/msec

Remarques:

Toutes les notes sont spécifiées pour Tj = 25 oC, sauf indication contraire.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour une forme d'onde sinusoïdale appliquée de 50 Hz / 60 Hz sur une plage de température comprise entre -40 et +125 ° C.

(2) 10 msec. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour la forme d' onde linéaire et exponentielle à VDRM évalué à 80%. Porte ouverte Tj = 125 ° C.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à la norme EIA / NIMA RS-397, section 5-2-2-6. La valeur définie serait en plus de celle obtenue à partir d'un circuit d'amortissement,

comprenant un condensateur de 0,2 F et une résistance de 20 ohms en parallèle avec le thristor sous test.


Conduite - en état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

438

A

Sinewave,180o conduction,Tc =85oC

RMS value of on-state current

ITRMS

900

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

5500

A

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.5

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.1

V

ITM = 1500 A; Duty cycle £ 0.01%

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET ÉVALUATIONS

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

10

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

2.7

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

-

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

-

15

ms

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

mC

ITM =500 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Pour max. Garanti valeur, contactez l'usine.

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

53

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - case to

sink

RQ (c-s)

-

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to sink

RQ (j-s)

-

-

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

5

9

-

kN

Weight

W

-

g


Sale Asymmetric Thyristors 438A applications


Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor asymétrique

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