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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor asymétrique > Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V

Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V
Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V
Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V
Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V

Thyristor asymétrique 60mA VRRM 30V

Prix ​​unitaire: USD 48 - 60 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 1 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours
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Informations de base

    Modèle: YZPST-A1237NC280

    IT(AV): 1237A

    VTM: ≤2.7V

    VDRM / VDSM: 2800V

    IDRM: 60mA

    IRRM: 10mA

    Tjm: -40~125℃

    VRRM / VRSM: 30V

Additional Info

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 1000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit


Thyristor asymétrique

YZPST-A1237NC280

La société Thyristor asymétrique 25V a passé la certification du système de qualité ISO9001 et la qualité est garantie.Convient à vos besoins de SCR.

Blocage - État désactivé

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V RRM = tension inverse de crête répétitive

V DRM = tension répétitive à l'état bloqué

V RSM = Tension inverse de crête non répétitive

Remarques:

Toutes les valeurs sont spécifiées pour Tj = 25 o C sauf si

autrement indiqué.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50 Hz / 60 Hz sur le

plage de température -40 à +125 o C.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 o C.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

forme d'onde à 80% nominale V DRM . Porte ouverte.

Tj = 125 o C.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à

avec la norme EIA / NIMA RS-397, section

5-2-2-6. La valeur définie serait en plus

tion à celle obtenue à partir d'un circuit d'amortissement,

comprenant un condensateur de 0,2 mF et 20 ohms

résistance en parallèle avec le thristor sous

tester.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Conduite - sur état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor asymétrique

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