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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Thyristor asymétrique 2500V de diamètre 75mm PSTA62166

Thyristor asymétrique 2500V de diamètre 75mm PSTA62166

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-KN1000A25-BSTR62166

    Type: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

Thyristors asymétriques

YZPST-KN1000A25-BSTR62166

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET CLASSEMENTS

Thyristors asymétriques Type: YZPST A60120

Remarques:

Toutes les notes sont spécifiées pour Tj = 25 oC sauf si

autrement indiqué.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur la

plage de température -40 à +125 oC.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

forme d'onde à 80% de VDRM évalué. Porte ouverte.

Tj = 125 oC.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à

avec la norme EIA / NIMA RS-397, section

5-2-2-6. La valeur définie serait en outre

à celle obtenue à partir d'un circuit amortisseur,

comprenant un condensateur de 0,2 F et 20 ohms

résistance en parallèle avec le thristor sous

tester.

Blocage - Etat bloqué

VRRM (1)

VDRM (1)

20

1800

V RRM = tension inverse crête répétitive

V DRM = Tension d’état de pic répétitif


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

100 mA

 

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Conduisant - en état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

1000

A

Sinewave,180o conduction,Tsink=55oC

RMS value of on-state current

ITRMS

2000

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

20

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

2x106

A2s

10.0 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.42

V

ITM =2000 A; Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET CLASSEMENTS

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

300

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3.0

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.6

0.8

ms

ITM =500 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

-

25

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

-

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Pour garantie max. valeur, contactez l'usine.

CARACTÉRISTIQUES ET CLASSEMENTS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - case to heatsink

RQ (c-s)

-

-

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistance - junction to heatsink

RQ (j-s)

0.02

0.04

K/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

P

19

26

kN

Weight

W

-

g

about

* Surfaces de montage lisses, plates et graissées

Remarque: pour le contour et les dimensions du boîtier, voir le dessin du contour du boîtier à la dernière page de cette fiche technique

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Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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