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Catégorie de produit de Diode de goujon de récupération rapide, nous sommes des fabricants spécialisés en provenance de Chine, Diode de goujon de récupération rapide, Type de goujon Diode de récupération rapide fournisseurs / usine, de haute qualité en gros produits de Diode de récupération rapide R & D et de fabrication, nous avons le parfait service après-vente et support technique. Réjouissez-vous de votre collaboration!
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Diode de récupération rapide haute puissance
marque: YZPST
Capacité d'approvisionnement: 1000
Certificats : ISO9001-2008,ROHS
Modèle: YZPST-SD233N/R
Lieu d'origine: CHINE
Diode de récupération rapide de puissance élevée DIODES DE RÉCUPÉRATION RAPIDE, Version à goujon Caractéristiques : Série de diodes de récupération FAST haute puissance, temps de récupération de 1,0 à 2,0 μs, tensions élevées jusqu'à 5000V, Haute capacité de courant, tour optimisés et désactiver les...
Diode de récupération rapide Stud 1800V
marque: YZPST
Capacité d'approvisionnement: 10000
Certificats : ISO9001-2008,ROHS
Modèle: YZPST-Z20A-ZK20A18
Lieu d'origine: Chine
Bonne performance rapide Diode YZPST-Z20A-ZK20A18 Les diodes de récupération rapide sont également généralement représentées par des symboles graphiques de diodes ordinaires, soit en texte ou en type. Les diodes de récupération rapide sont similaires aux diodes ordinaires, mais le processus de fabrication est...
Chine Diode de goujon de récupération rapide Fournisseurs
La diode de récupération rapide (FRD) est une diode semi-conductrice avec de bonnes caractéristiques de commutation et un temps de récupération inverse court. Il est principalement utilisé dans les alimentations à découpage, les modulateurs de largeur d'impulsion PWM, les onduleurs et autres circuits électroniques comme diodes de redressement à haute fréquence. Des diodes de roue libre ou d'amortissement sont utilisées. La structure interne de la diode de récupération rapide est différente de celle d'une diode de jonction PN ordinaire. Il appartient à une diode de jonction PIN, c'est-à-dire qu'une région de base I est ajoutée entre le matériau de silicium de type P et le matériau de silicium de type N pour former une plaquette de silicium PIN. Etant donné que la zone de base est mince et que la charge de récupération inverse est faible, la diode de récupération rapide présente un court temps de récupération inverse, une faible chute de tension directe et une tension de claquage inverse élevée (tension de résistance).
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Mr. John chang
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Fax:86-514-87782297
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E-mail :info@yzpst.com
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