Thyristors KK 3000K Fast KK1000A

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Modèle: YZPST-63H200

marque: YZPST

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Thyristors rapides

YZPST-63H200

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET NOTATIONS

Remarques:

Toutes les évaluations sont spécifiées pour Tj = 25 oC sauf si

autrement dit.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour une application

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur le

plage de température de -40 à +125 oC.

(2) 10 msec. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

wavehape à 80% évalué VDRM. Porte ouverte

Tj = 125 oC.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à

avec la norme EIA / NIMA RS-397, section

5-2-2-6. La valeur définie serait en plus

tion à celle obtenue par un circuit d'amortissement,

comprenant un condensateur de 0,2 F et 20 ohms

résistance en parallèle avec le transistor sous

tester.

État bloquant

VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
3000	3000	3100

V _RRM = Tension inverse de pointe répétitive

V _DRM = Tension répétitive d'état de pointe

V _RSM = Tension inverse de pointe non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

I_{RRM
/}I_DRM

100 mA

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Conduite - sur l'état

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	I_T(AV)M		1000		A	Sinewave,180^o conduction,T_sink=55^oC
RMS value of on-state current	I_TRMS		1700		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	I_TSM		15.9		KA	10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180^o conduction, T_j = 125 ^oC
I square t	I²t		1.26x10⁶		A²s	10.0 msec
Latching current	I_L		-		mA	V_D = 24 V; R_L= 12 ohms
Holding current	I_H		1000		mA	V_{D =} 24 V; I =2.5 A
Peak on-state voltage	V_TM		2.42		V	I_TM =2000 A; T_j = 125 ^oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		-		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		150		A/ms	Switching from V_DRM £ 1000 V

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET NOTATIONS

Gating

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	P_GM		30		W	t_p= 40 us
Average gate power dissipation	P_G(AV)		5		W
Peak gate current	I_GM		-		A
Gate current required to trigger all units	I_GT		- 300 -		mA mA mA	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +25 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = +125^oC
Gate voltage required to trigger all units	V_GT		- 3.0 -		V V V	V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = -40 ^oC V_D = 6 V;R_L = 3 ohms;T_j = 0-125^oC V_D = Rated V_DRM; R_L = 1000 ohms; T_j = + 125 ^oC
Peak negative voltage	V_GRM		5		V

Dynamique

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Delay time	t_d		1.6	0.8	ms	I_TM =500 A; V_D = Rated V_DRM Gate pulse: V_G = 20 V; R_G = 20 ohms; t_r = 0.1 ms; t_p = 20 ms
Turn-off time (with V_R = -50 V)	t_q		-	120	ms	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% V_DRM; V_G = 0; T_j = 125 ^oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery charge	Q_rr		-	-	mC	I_TM =1000 A; di/dt =25 A/ms; V_R ³ -50 V

* Pour garantie max. valeur, contactez l'usine.

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES ET MÉCANIQUES ET NOTATIONS

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	T_j	-40	+125		^oC
Storage temperature	T_stg	-40	+150		^oC
Thermal resistance - junction to case	R_Q_(j-c)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - case to heatsink	R_Q_(c-s)		- -		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistance - junction to heatsink	R_Q_(j-s)		0.022 0.044		K/W	Double sided cooled Single sided cooled
Mounting force	P	19	26		kN
Weight	W			510	g	about