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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Thyristor 2000 kk thyristor rapide techsem

Thyristor 2000 kk thyristor rapide techsem

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-KK2000A2000V-1

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 1000

    Certificats : ISO9000

    Code SH: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

THYRISTOR DE HAUTE PUISSANCE POUR COMMANDE DE PHASE

YZPST-KK2000A2000V


Caractéristiques:

. Toutes les structures diffuses

. Configuration de porte d'amplification centrale

. Temps d'arrêt maximum garanti

. Capacité élevée de dV / dt

. Dispositif assemblé sous pression

Remarques:

Toutes les notes sont spécifiées pour Tj = 25 oC sauf si

autrement indiqué.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur la

plage de température -40 à +125 oC.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

forme d'onde à 80% de VDRM évalué. Porte ouverte.

Tj = 125 oC.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à

avec la norme EIA / NIMA RS-397, section

5-2-2-6. La valeur définie serait en outre

à celle obtenue à partir d'un circuit amortisseur,

comprenant un condensateur de 0,2 F et 20 ohms

résistance en parallèle avec le thristor sous

tester.


CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET CLASSEMENTS

Blocage - Etat bloqué

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = tension inverse crête répétitive

V DRM = Tension d’état de pic répétitif

V RSM = tension inverse de crête non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

65 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

500 V/msec



Conduisant - en état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

2000

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

3140

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

14.6

KA

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.06x106

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

1000

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

500

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.6

V

ITM = 4000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =25 oC

Threshold vlotage

VT0

-

V

Slope resistance

rT

-

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

800

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET CLASSEMENTS

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

200

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to trigger all units

IGT

-

150

-

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

-

3

-

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

5

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

1.5

0.7

ms

ITM =50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

35

ms

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

*

400

mC

ITM =1000 A; di/dt =25 A/ms;

VR ³ -50 V

* Pour garantie max. valeur, contactez l'usine.

CARACTÉRISTIQUES ET CLASSEMENTS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

23

45

oC/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

oC/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

24.5

26.7

kN

Weight

W

460

g

About

* Surfaces de montage lisses, plates et graissées


PLAN DE CAS ET DIMENSIONS

C458PB thyristor

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor d'inverseur

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