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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor d'inverseur > Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT

Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT
Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT
Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT
Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT

Contrôleur de puissance à thyristors C712L KT55CT

Prix ​​unitaire: USD 40 - 80 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 1 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours
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Informations de base

    Modèle: YZPST-C712L

    Type: Intrinsic Semiconductor

    VRRM: 2000V

    VDRM: 2000V

    VRSM: 2100V

    IRRM / IDRM: 20 MA/90 MA

    DV/dt: 800 V/sec

Additional Info

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

THYRISTOR DE HAUTE PUISSANCE POUR DES APPLICATIONS D'ONDULEUR ET DE CHOPPER

YZPST-C712L

Fonctionnalités:

. Toute la structure diffusée

. Configuration de la porte d'amplification centrale

. Capacité de blocage jusqu'à 2100 volts

. Temps d'arrêt maximal garanti

. Haute capacité dV / dt

. Dispositif assemblé sous pression


Blocage - État désactivé

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

  2000

 2100

V RRM = tension inverse de crête répétitive

V DRM = tension d'état de crête répétitive

V RSM = Tension inverse de crête non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

20 mA

90 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

800 V/msec

Remarques:

Toutes les valeurs sont spécifiées pour Tj = 25 o C, sauf

autrement indiqué.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur le

plage de température -40 à +125 o C.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 o C.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

forme d'onde à 80% de V DRM . Porte ouverte.

Tj = 125 o C.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à

avec la norme EIA / NIMA RS-397, section

5-2-2-6. La valeur définie serait en plus

tion à celle obtenue à partir d'un circuit d'amortissement,

comprenant un condensateur de 0,2 mF et 20 ohms

résistance en parallèle avec le thristor sous

tester.

Conduite - sur état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)

 

1185

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=80oC

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1700

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18500

 

A

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.66x106

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

-

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.45

 

V

ITM = 1000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =1 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

800

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

100

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

5

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

120

-

 

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

 

20

 

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

0.7

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

40

-

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

*

 

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS HERMALES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+125

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

0.023

-

 

oC/W

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

0.0075

-

 

oC/W

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

22.2

26.6

 

kN

 

Weight

W

 

 

-

g

About

YZPST-C712L




Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor d'inverseur

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Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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