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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Thyristor haute puissance pour applications onduleurs
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Thyristor haute puissance pour applications onduleurs

Prix ​​unitaire: USD 40 - 80 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 1 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours
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Informations de base

    Modèle: YZPST-R0929LC10 (TQ<10US)

    Technologie de fabrication: Périphérique de circuits intégrés

    Type: Intrinsic Semiconductor

    Application: Mesure de température

    VRRM: 2000V

    VDRM: 2000V

    VRSM: 2100V

    IRRM / IDRM: 20 MA/90 MA

    DV/dt: 800 V/sec

Additional Info

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

THYRISTOR DE HAUTE PUISSANCE POUR DES APPLICATIONS ONDULEURS

YZPST-R0929LC10 (TQ <10US)



Caractéristiques du thyristor:

. Toute la structure diffusée

. Configuration de la porte amplificatrice interdigitée

. Temps d'arrêt maximal garanti

. Haute capacité dV / dt

. Dispositif assemblé sous pression

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS ÉLECTRIQUES

Blocage - État désactivé

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1000

1100

1200


V RRM = tension inverse de crête répétitive

V DRM = tension d'état de crête répétitive

V RSM = Tension inverse de crête non répétitive (2)

Remarques:

Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 o C, sauf indication contraire.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur le

plage de température -40 à +125 o C.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 o C.

(4) Valeur minimale pour la forme d'onde linéaire et exponentielle à 80% de V DRM nominal. Porte ouverte. Tj = 125 o C.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à la norme EIA / NIMA RS-397, section 5-2-2-6. La valeur définie serait en plus de celle obtenue à partir d'un circuit ubber, comprenant un condensateur 0,2 mF et une résistance de 20 ohms en parallèle avec le thristor testé.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Conduite - sur état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

929

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1893

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

9.0

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

405x103

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.04

 

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

1500

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

2

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3.0

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

 

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

 

2.0

-

 

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

 

-

 

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

 

32

64

 

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

 

Weight

W

 

 

-

Kg

about

YZPST-R0929LC10-1





Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor d'inverseur

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Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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