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Accueil > Liste de Produits > Semi-conducteurs > Thyristor de goujon de contrôle de phase > Entraînements haute puissance Thyristor Power Control 100A

Entraînements haute puissance Thyristor Power Control 100A
Entraînements haute puissance Thyristor Power Control 100A

Entraînements haute puissance Thyristor Power Control 100A

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours
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Informations de base

    Modèle: YZPST-TO94-KP100A06

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 1000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit


Thyristor à commande de phase

YZPST-TO94-KP100A06

Caractéristiques du thyristor à commande de phase: 1. conception entièrement fusionnée 2. capacités à courant élevé 3. capacités à courant de surtension élevé 4. tensions à haute cadence 5. tension DV / DT élevée 6. courant de grille faible 7. grille dynamique 8. faible impédance thermique. Les applications typiques du thyristor à haute puissance sont les suivantes: modules: entraînements à haute puissance, commande de moteur à courant continu, alimentations haute tension, commutation à puissance moyenne et alimentations en courant continu.




Cotes et caractéristiques maximales

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

ITAV

Mean on-state current

-

A

Sinewave,180° conduction,Tc=100°C

ITRMS

RMS value of on-state current

100

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

900

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 °C

I2t

I square t

4050

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

100

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

30

mA

VD = 12 V; I = 1 A

VTM

Peak on-state voltage

2.0

V

ITM = 150 A; Duty cycle £ 0.01%;

Tj = 25 °C

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

300

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

50

BLOCKING

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

600

V

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

700

V

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

10

mA

Tj = 125 °C ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

100

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

PG(AV)

Average gate power dissipation

-

W

PGM

Peak gate power dissipation

-

W

IGM

Peak gate current

-

A

IGT

Gate trigger current

200

mA

TC = 25 °C

VGT

Gate trigger voltage

3.0

V

TC = 25 °C

VT(T0)

Treshold voltage

1

V

rT

Slope resistance

2.4

VGD

Gate non-trigger voltage

0.2

V

Tj = 125 °C

SWITCHING

tq

Turn-off time

-

ms

Tj = 125 °C

td

Delay time

-

Gate current 1A, di/dt=1A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 °C

Qrr

Reverse recovery charge

-

Thermique et mécanique

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

°C

Tstg

Storage temperature

-40~150

°C

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.4

°C/W

DC operation ,Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

0.08

°C/W

Single sided cooled

P

Mounting force

-

Nm

W

Weight

-

g

about


Images détaillées
Phase Control Thyristors YZPST-TO94-KP100A06

Groupes de Produits : Semi-conducteurs > Thyristor de goujon de contrôle de phase

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Fax:86-514-87782297

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