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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Thyristors à haute fréquence d'encapsulation de puissance de CC

Thyristors à haute fréquence d'encapsulation de puissance de CC

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours
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Informations de base

    Modèle: YZPST-T700123503BY

Additional Info

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 1000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit



Thyristors à contrôle de phase

YZPST-T700123503BY

Caractéristiques des thyristors de contrôle de phase: configuration de la porte d'amplification centrale, encapsulation liée par compression, capacité DV / DT élevée et type de goujon, filetage ou métrique. Les applications typiques des thyristors à haute fréquence sont les alimentations à découpage de puissance moyenne et à courant continu.


Notes et caractéristiques maximales

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

ON-STATE

ITAV

Mean on-state current

350

A

Sinewave,180° conduction,Tc=85

ITRMS

RMS value of on-state current

550

A

Nominal value

ITSM

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

9.1

KA

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I2t

I square t

416

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

IL

Latching current

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

IH

Holding current

-

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

VTM

Peak on-state voltage

1.4

V

ITM = 625 A; Duty cycle £ 0.01%

di/dt

Critical rate of rise

of on-state current

non-repetitive

800

A/ms

Gate drive 20V, 20Ω, tr≤1μs, Tj=Tjmax, anode voltage≤80% VDRM

repetitive

150

BLOCKING

VDRM

VRRM

Repetitive peak off state voltage

Repetitive peak reverse voltage

1200

V

VDSM

VRSM

Non repetitive peak off state voltage

Non repetitive peak reverse voltage

1300

V

IDRM

IRRM

Repetitive peak off state current Repetitive peak reverse  current

30

mA

Tj = 125 oC ,VRRM VDRM applied

dV/dt

Critical rate of voltage rise

1000

V/ms

TJ=TJmax, linear to 80% rated VDRM

TRIGGEING

PG(AV)

Average gate power dissipation

3

W

PGM

Peak gate power dissipation

16

W

IGM

Peak gate current

-

A

IGT

Gate trigger current

150

mA

TC = 25 oC

VGT

Gate trigger voltage

3.0

V

TC = 25 oC

VGD

Gate non-trigger voltage

0.15

V

Tj = 125 oC

SWITCHING

tq

Turn-off time

150

ms

ITM=550A, TJ=TJmax, di/dt=40A/μs,

VR=50V, dv/dt=20V/μs, Gate 0V 100Ω, tp=500μs

td

Delay time

-

Gate current A, di/dt=40A/μs,

Vd=0.67%VDRM, TJ=25 oC

Qrr

Reverse recovery charge

-

Thermique et mécanique

Symbol

Parameter

Values

Units

Test Conditions

Tj

Operating temperature

-40~125

oC

Tstg

Storage temperature

-40~150

oC

R th (j-c)

Thermal resistance - junction to case

0.1

oC/W

DC operation ,Single sided cooled

R th (c-s)

Thermal resistance - case to sink

0.05

oC/W

Single sided cooled

P

Mounting force

3.5

Nm

W

Weight

-

g

about

Images détaillées
Phase Control Thyristors YZPST-T700123503BY

Groupes de Produits : Semi-conducteurs > Thyristor de goujon de contrôle de phase

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Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

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