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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Diode Haute Tension Haute Fréquence 500mA

Diode Haute Tension Haute Fréquence 500mA

Prix ​​unitaire: USD 1.2 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 100000 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-CL05-08

    Type: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 10000

    Certificats : ISO9001-2015,ROHS

    Code SH: 85411000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

Diode Haute Tension Haute Tension

YZPST - CL05-08

Les caractéristiques

1. température de jonction élevée jusqu'à 130

2. Faible chute de tension directe et petite fuite de courant

3. Protection contre les avalanches

4. Temps maximum de récupération inverse à 40nS

4. Excellentes propriétés contre les surtensions HT

5. Fils conducteurs axiaux soudables

6. Colis époxy avec propriétés anti-corrosion en surface

Application

• Rectification pour four à micro-ondes

• Alimentations industrielles à micro-ondes

• source de rayons X HF

• Alimentation laser

• circuits multiplicateurs de tension

• Rectification des alimentations pour d’autres appareils électroniques

1. Spécification principale

 

No.

 

Item

 

Symbol

 

  Unit

 

Rating

 

Conditions


 1



   Repetitive Peak Reverse Voltage


   VRRM


   KV


 8



    2


 Average Forward Current

 

 IF (AV)

 

 mA

 

500

Tamb=60 oC

50HZ Sine-half Wave

Rectification Average Value

 

    3

 

 Forward Surge Current

 

 IFSM

 

 A

 

15

 Tamb=25 oC

50HZ Sine-half Wave,One Shot

 

 4


Reverse Surge Current

 

 IRSM


μA  

 

-

 

Pulse width 1ms triangle wave single pulse

 

 5

 

Maximum Junction Temperature

 

 

  Tjmax

 

     oC

 

130



 6


Storage Temperature


 Tstg

 

oC


-40~+130

















2. Spécifications électriques

 

 NO.

 

Item

 

Symbol

   Unit

 

   Rating

 

Test conditions


1


 Forward Voltage Drop


VFM


V


  15max


  IFM=500mA

2

Normal Temperature Reverse Current

IRM1

μA

5max

VRM=8KV


3


 High Temperature Reverse Current


IRM2


μA


5max

   Tamb=100oC

   VRM=10KV


4


 Reverse Breakdown Voltage


VZ


 KV


   8

 

          IR=300mA


5


 Reverse Recovery Time


trr


nS


    100


IF=2mA, IRM=4mA  90%











(Tamb = 25 oC, sauf indication contraire)

3. application

Pour la rectification haute tension;

4. Déclassement du courant direct

1

5.Dimensions (en mm)

3



Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Diode de paquet en plastique

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Numéro De Téléphone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Portable:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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