YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.
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Thyristor inverseur conducteur 2000V
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Thyristor inverseur conducteur 2000V
Thyristor inverseur conducteur 2000V

Thyristor inverseur conducteur 2000V

$360≥20Piece/Pieces

Type de paiement:L/C,T/T,Paypal
Incoterm:FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum:20 Piece/Pieces
transport:Ocean,Air
Hafen:Shanghai
Attributs du produit

ModèleYZPST-KT40BT-5STR03T2040

marqueYZPST

Emballage & livraison
Unités de vente : Piece/Pieces
Type de colis : 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique
Description du produit

THYRISTORS CONDUCTEURS INVERSE

YZPST-KT40BT-5STR03T2040

Caractéristiques:
. Diode de roue libre intégrée
. Optimisé pour de faibles pertes dynamiques

Blocage - Etat bloqué

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM = tension inverse crête répétitive

V DRM = Tension d’état de pic répétitif

V RSM = tension inverse de crête non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Remarques:

Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 oC, sauf indication contraire.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur la

plage de température -40 à +125 oC.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour la forme d'onde linéaire et exponentielle jusqu'à 80% du VDRM nominal. Porte ouverte. Tj = 125 oC.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à la norme EIA / NIMA RS-397, chapitre 5-2-2-6. La valeur définie viendrait s’ajouter à celle obtenue à partir d’un circuit hyperbare comprenant un condensateur de 0,2 F et une résistance de 20 ohms en parallèle du thristor sous test.


Conduisant - en état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

CARACTÉRISTIQUES ET CLASSEMENTS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

* Surfaces de montage lisses, plates et graissées

Remarque: pour le contour et les dimensions du boîtier, voir le schéma de contour du boîtier à la page 3 de ces caractéristiques techniques.

REVERSE CONDUCTING THYRISTORS

Sym

A

B

C

D

H

mm

59

34

53

3.5×3

20±1




苏ICP备05018286号-1
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