Thyristor inverseur conducteur 2000V
$360≥20Piece/Pieces
Type de paiement: | L/C,T/T,Paypal |
Incoterm: | FOB,CFR,CIF |
Quantité de commande minimum: | 20 Piece/Pieces |
transport: | Ocean,Air |
Hafen: | Shanghai |
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Quantité de commande minimum: | 20 Piece/Pieces |
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Hafen: | Shanghai |
Modèle: YZPST-KT40BT-5STR03T2040
marque: YZPST
Unités de vente | : | Piece/Pieces |
Type de colis | : | 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique |
THYRISTORS CONDUCTEURS INVERSE
YZPST-KT40BT-5STR03T2040
Caractéristiques:
. Diode de roue libre intégrée
. Optimisé pour de faibles pertes dynamiques
Blocage - Etat bloqué
VRRM (1) |
VDRM (1) |
VRSM (1) |
2000 |
2000 |
2100 |
V RRM = tension inverse crête répétitive
V DRM = Tension d’état de pic répétitif
V RSM = tension inverse de crête non répétitive (2)
Repetitive peak reverse leakage and off state leakage |
IRRM / IDRM |
10 mA 70 mA (3) |
Critical rate of voltage rise |
dV/dt (4) |
1000 V/msec |
Remarques:
Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 oC, sauf indication contraire.
(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un
Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur la
plage de température -40 à +125 oC.
(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion
(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.
(4) Valeur minimale pour la forme d'onde linéaire et exponentielle jusqu'à 80% du VDRM nominal. Porte ouverte. Tj = 125 oC.
(5) Valeur non répétitive.
(6) La valeur de di / dt est établie conformément à la norme EIA / NIMA RS-397, chapitre 5-2-2-6. La valeur définie viendrait s’ajouter à celle obtenue à partir d’un circuit hyperbare comprenant un condensateur de 0,2 F et une résistance de 20 ohms en parallèle du thristor sous test.
Conduisant - en état
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Average value of on-state current |
IT(AV)M IF(AV)M |
|
360 223 |
|
A |
Sinewave,180o conduction,Tc=70oC |
RMS value of on-state current |
ITRMS |
|
566 351 |
|
A |
Nominal value |
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current |
ITSM
IFSM |
|
5000
3500 |
|
A
A |
10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC |
I square t |
I2t |
|
125x103 61x103 |
|
A2s |
8.3 msec |
Latching current |
IL |
|
500 |
|
mA |
VD = 24 V; RL= 12 ohms |
Holding current |
IH |
|
100 |
|
mA |
VD = 24 V; I =2.5 A |
Peak on-state voltage |
VTM VFM |
|
2.61 3.42 |
|
V |
ITM = 1000 A |
Critical rate of rise of on-state current (5, 6) |
di/dt |
|
- |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive |
Critical rate of rise of on-state current (6) |
di/dt |
|
400 |
|
A/ms |
Switching from VDRM £ 1000 V |
Gating
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Peak gate power dissipation |
PGM |
|
- |
|
W |
|
Average gate power dissipation |
PG(AV) |
|
5 |
|
W |
|
Peak gate current |
IGM |
|
25 |
|
A |
|
Gate current required to trigger all units |
IGT |
|
400 |
|
mA |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC
|
Gate voltage required to trigger all units |
VGT |
|
2.5 |
|
V |
VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC |
Peak negative voltage |
VRGM |
|
2 |
|
V |
|
Dynamique
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Delay time |
tgd |
|
1.0 |
|
ms |
VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C |
Turn-on time |
tgt |
|
- |
|
|
|
Turn-off time (with VR = -5 V) |
tq |
|
40 |
- |
ms |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us |
Reverse recovery current |
Irm |
|
- |
|
A |
ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us |
CARACTÉRISTIQUES ET CLASSEMENTS THERMIQUES ET MÉCANIQUES
Parameter |
Symbol |
Min. |
Max. |
Typ. |
Units |
Conditions |
Operating temperature |
Tj |
-40 |
+125 |
|
oC |
|
Storage temperature |
Tstg |
-40 |
+120 |
|
oC |
|
Thermal resistance - junction to case |
RQ (j-c)
RQ (j-c)D |
|
55 140 88 165 |
|
K/kW |
Double sided cooled Single sided cooled Double sided cooled Single sided cooled |
Thermal resistamce - case to sink |
RQ (c-s) |
|
10 20 |
|
K/kW |
Double sided cooled * Single sided cooled * |
Mounting force |
F |
8 |
12 |
- |
kN |
|
Weight |
W |
|
|
- |
Kg |
|
* Surfaces de montage lisses, plates et graissées
Remarque: pour le contour et les dimensions du boîtier, voir le schéma de contour du boîtier à la page 3 de ces caractéristiques techniques.
Sym |
A |
B |
C |
D |
H |
mm |
59 |
34 |
53 |
3.5×3 |
20±1 |
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