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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor conducteur inverse (RCT) > Optimisé pour les faibles pertes dynamiques, thyristor RCT 2000V

Optimisé pour les faibles pertes dynamiques, thyristor RCT 2000V
Optimisé pour les faibles pertes dynamiques, thyristor RCT 2000V

Optimisé pour les faibles pertes dynamiques, thyristor RCT 2000V

Prix ​​unitaire: USD 360 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 20 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-KT50BT-5STR03T2040

    Type: Intrinsic Semiconductor

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

THYRISTORS CONDUCTEURS INVERSE

YZPST-KT50BT-5STR03T2040

Caractéristiques:
. Diode de roue libre intégrée
. Optimisé pour de faibles pertes dynamiques

Blocage - Etat bloqué

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

  2000

2000

2100


V RRM = tension inverse crête répétitive

V DRM = Tension d’état de pic répétitif

V RSM = tension inverse de crête non répétitive (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Remarques:

Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 oC, sauf indication contraire.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50Hz / 60zHz sur la

plage de température -40 à +125 oC.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 oC.

(4) Valeur minimale pour la forme d'onde linéaire et exponentielle jusqu'à 80% du VDRM nominal. Porte ouverte. Tj = 125 oC.

(5) Valeur non répétitive.

(6) La valeur de di / dt est établie conformément à la norme EIA / NIMA RS-397, chapitre 5-2-2-6. La valeur définie s’ajouterait à celle obtenue à partir d’un circuit ultra-puissant comprenant un condensateur de 0,2 F et une résistance de 20 ohms en parallèle avec le thristor testé.

onduction - en marche

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

IF(AV)M

360

223

A

Sinewave,180o conduction,Tc=70oC

RMS value of on-state current

ITRMS

566

351

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

IFSM

  

5000

3500

A

A

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

125x103

61x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

500

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

100

mA

VD = 24 V; I =2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

VFM

2.61

3.42

V

ITM = 1000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

-

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

400

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

-

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

5

W

Peak gate current

IGM

25

A

Gate current required to trigger all units

IGT

400

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

2.5

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

2

V

Dynamique

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

40

-

ms

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us, Vr=100V, Vdr=67%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us                                         

CARACTÉRISTIQUES ET CLASSEMENTS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+120

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

RQ (j-c)D

55

140

88

165

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

10

20

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

F

8

12

-

kN

Weight

W

-

Kg

* Surfaces de montage lisses, plates et graissées

Remarque: pour le contour et les dimensions du boîtier, voir le schéma de contour du boîtier à la page 3 de ces caractéristiques techniques.


REVERSE CONDUCTING THYRISTORS


Sym

A

B

C

D

H

mm

68

45

62

3.5×3

20±1

Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor conducteur inverse (RCT)

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Numéro De Téléphone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Portable:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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