Contacter le Fournisseur? fournisseur
John chang Mr. John chang
Que puis-je faire pour vous?
T'Chat contacter le fournisseur

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Liste de Produits

Accueil > Liste de Produits > Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor conducteur inverse (RCT) > FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT

FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT
FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT
FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT
FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT

FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide RCT

Prix ​​unitaire: USD 1000 - 600 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 1 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours
Télécharger:

Informations de base

    Modèle: YZPST-FR1000AX50

    Type: Intrinsic Semiconductor

    Application: Mesure de température

    VDRM: 2500V

    VDSM: 2500V

    IDRM: 20 MA 80mA

    DV/dt: 700 V/sec

    ITRMS: 1550A

    IT(AV): 1000A

    Technologie de fabrication: Périphérique de circuits intégrés

    Matériel: Compound Semiconductor

    Numéro de lot: 2010+

Additional Info

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit


FR1000AX50 Thyristor à commutation inverse à commutation rapide

RCT POUR LES APPLICATIONS INVERTER ET CHOPPER

2500 V DRM; 1550 A eff.

YZPST-FR1000AX50

Fonctionnalités:

. Toute la structure diffusée

. Configuration de la porte amplificatrice interdigitée

. Capacité de blocage jusqu'à 2500 volts

. Temps d'arrêt maximal garanti

. Haute capacité dV / dt

. Dispositif assemblé sous pression


CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS ÉLECTRIQUES

Blocage - État désactivé

Device Type

VDRM (1)

VDSM (1)

FR1000AX50

2500

2500


VDRM = tension d'état de crête répétitive

Repetitive peak off state leakage

IDRM

 

20 mA

80mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

700 V/msec


Remarques:

Toutes les valeurs sont spécifiées pour Tj = 25 o C sauf si

autrement indiqué.

(1) Toutes les tensions nominales sont spécifiées pour un

Forme d'onde sinusoïdale 50 Hz / 60 Hz sur le

plage de température -40 à +125 o C.

(2) 10 ms. max. largeur d'impulsion

(3) Valeur maximale pour Tj = 125 o C.

(4) Valeur minimale pour linéaire et exponentielle

forme d'onde à 80% nominale V DRM . Porte ouverte.

Tj = 125 o C.

(5) Valeur non répétitive.

Conduite - sur état

Parameter

Symbol

 

Max.

Typ.

Units

Conditions

RMS value of on-state current

ITRMS

 

1550

 

A

Nominal value

Average on-state current

IT(AV)

 

 

   

1000

 

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

 

14000

 

 

A

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

8.2.x105

 

A2s

8.3 msec and 10.0 msec

RNS reverse currrnt

IR(RMS)

 

630

 

A

 

Average reverse current

IR(AV)

 

    400

 

A

Continuous single-phase,half sine wave,180°conduction

Peak on-state voltage

VTM

 

2.2

 

 

V

ITM=1000A Tj = 125 oC

Peak reverse voltage

VRM

 

 

4.0

 

V

IRM=1200A, Tj = 125 oC

Critical rate of rise of on-state

current

di/dt

 

      300

 

A/ms

VD=1/2VDRM,ITM=800A f=60HZ IGM=1.5A,diG/dt=1.0A/us,Tj=125      

Critical rate of decrease of reverse conmmutating current

(di/dt)C

 

200

 

A/ms

ITM=4000A,tw=60us,IRM=4000A,dv/dt=700V/us,VDM=1/2VDRN,Tj=125,Saturable reactor7500v.us

Gating

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

tp = 40 us

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

8

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

10

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

350

 

 

mA

 

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

 

 

4

 

 

 

V

 

VD = 6 V;RL = 2 ohms;Tj = 25oC

 

Peak non- trigger voltage

VGD

 

0.2

 

V

Tj = 125 oC;VD=1/2VDRM

Dynamique

Parameter

Symbol

.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Turn-off time  

tq

 

    50

 

        

 

ms

ITM =4000 A; di1/dt = -200A/ms;

di2/dt=50A/us,IRM=500A; dV/dt =700 V/ms VDR=1250V

Tj = 125 oC;tw=60us

 

 

 

 

 

 

CARACTÉRISTIQUES ET ÉVALUATIONS THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thyristor part thermal resistance - junction to fin

RQ (j-f)

 

0.022

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Diode part thermal resistamce – junction to fin

RQ (j-f)

 

0.070

 

 

oC/W

Double sided cooled

 

Mounting force

P

 

45

 

kN

 

Weight

W

 

670

 

g

YZPST-FR1000AX50-1














Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Thyristor conducteur inverse (RCT)

Envoyer Une Demande

John chang

Mr. John chang

Numéro De Téléphone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Portable:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1