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Prix ​​de transistor de puissance de transistor SCR avec un grand prix

Prix ​​de transistor de puissance de transistor SCR avec un grand prix

Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-1690-TO-247S

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 10000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

SCR PST1690 série 90A

YZPST-1690-TO-247S

D E SCRI P TI O N:

PS T1 6 9 0 s e r i e s d e icône si l c o n trolled rec t i f iers, w ième h i g h ab i l ité t o wit h er une d t h e s h o ck l o a d i n g de la g e c u r r en t, p ro v ide h h g h d v / d t taux w ième s t r sur g résister à une CE à e lec t r o m a g n i ne tic t r e f e re n c e. Th e y re e s p e ciellement rec o mm en d e d f o r utilisation o n s o l i d r a y rela de te, mo t o cle rc y, w e r po c ha r g e r , T - t oo ls e tc

Prix ​​de transistor de puissance de transistor SCR avec un grand prix

A B S O L U TE MA X I MU M R A TIONS

Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junction temperature range

Tstg

-40-150

Operating junction temperature range

Tj

-40-125

Repetitive peak off-state voltage

VDRM

1600

V

Repetitive peak reverse voltage

VRRM

1600

V

Average on-state current (TC=80)

IT(AV)

56

A

RMS on-state current(TC=80)

IT(RMS)

90

A

Non repetitive surge peak on-state current

(tp=10ms)

 

ITSM

 

1250

 

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

7800

A2s

Critical rate of rise of on-state current

(IG=2×IGT)

 

dI/dt

 

150

 

A/μs

Peak gate current

IGM

10

A

Peak gate power

PGM

20

W

Average gate power dissipation(Tj=125)

PG(AV)

2

W


E L E C TRICAL CH A R A S CTERI TICS
(T j = 25 u n o t moins h e r w ise s pe ci f i e d )

 

Symbol

 

Test Condition

Value

 

Unit

MIN.

TYP.

MAX.

IGT

 

VD=12V RL=30Ω

10

-

80

mA

VGT

-

-

1.5

V

VGD

VD=VDRM Tj=125

0.25

-

-

V

IL

 

IG=1.2 IGT

-

-

200

mA

IH

 

IT=1A

-

-

150

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Tj=125 Gate Open

1000

-

-

V/μs

S TA TIC C H A RA CTERI S TICS

Symbol

Parameter

Value(MAX)

Unit

VTM

ITM=110A tp=380μs

TC=25

1.8

V

IDRM

 

VD=VDRM VR=VRRM

TC=25

50

μA

IRRM

TC=125

10

mA

THERMIQUE R E S I de T AN S CE

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth(j-c)

junction to case(DC)

0.27

/W


Images détaillées

Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

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