Contacter le Fournisseur? fournisseur
John chang Mr. John chang
Que puis-je faire pour vous?
T'Chat contacter le fournisseur

YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

Liste de Produits

Accueil > Liste de Produits > Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR) > 25TTS12 contrôle de phase semi-conducteurs scr 1200V

25TTS12 contrôle de phase semi-conducteurs scr 1200V
25TTS12 contrôle de phase semi-conducteurs scr 1200V

25TTS12 contrôle de phase semi-conducteurs scr 1200V

Prix ​​unitaire: USD 0.22 - 0.25 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 2000 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-25TTS12-1

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 10000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 100000

    Certificats : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit


SCR à contrôle de phase, 25 A

DESCRIPTION / CARACTÉRISTIQUES

La série 25TTS ... Haute Tension de redresseurs au silicium est spécialement conçue pour les applications de commutation de puissance et de contrôle de phase. La technologie de passivation de verre utilisée a un fonctionnement fiable jusqu’à

Température de jonction de 125 ° C.

Les applications typiques sont la rectification d’entrée (démarrage progressif) et ces produits sont conçus pour être utilisés avec les diodes d’entrée, commutateurs et redresseurs de sortie Vishay HPP, disponibles dans des contours de boîtier identiques.

Ce produit a été conçu et qualifié pour le niveau industriel.

1

PRODUCT SUMMARY

VT at 16 A

< 1.25 V

ITSM

300 A

VRRM

800/1200 V

OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS

APPLICATIONS

SINGLE-PHASE BRIDGE

THREE-PHASE BRIDGE

UNITS

Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C, common heatsink of 1 °C/W

 

18

 

22

 

A

MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

IT(AV)

Sinusoidal waveform

16

 

A

IRMS

 

25

VRRM/VDRM

 

800/1200

V

ITSM

 

300

A

VT

16 A, TJ = 25 °C

1.25

V

dV/dt

 

500

V/µs

dI/dt

 

150

A/µs

TJ

 

- 40 to 125

°C

VOLTAGE RATINGS

 

PART NUMBER

VRRM, MAXIMUM PEAK REVERSE VOLTAGE V

VDRM, MAXIMUM PEAK DIRECT VOLTAGE

V

IRRM/IDRM AT 125 °C mA

25TTS08

800

800

 

10

25TTS12

1200

1200

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 

PARAMETER

 

SYMBOL

 

TEST CONDITIONS

VALUES

 

UNITS

TYP.

MAX.

Maximum average on-state current

IT(AV)

TC = 93 °C, 180° conduction half sine wave

16

 

 

A

Maximum RMS on-state current

IRMS

 

25

Maximum peak, one-cycle, non-repetitive surge current

 

ITSM

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

300

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

350

 

Maximum I2t for fusing

 

I2t

10 ms sine pulse, rated VRRM applied

450

 

A2s

10 ms sine pulse, no voltage reapplied

630

Maximum I2t for fusing

I2t

t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied

6300

A2s

Maximum on-state voltage drop

VTM

16 A, TJ = 25 °C

1.25

V

On-state slope resistance

rt

 

TJ = 125 °C

12.0

mΩ

Threshold voltage

VT(TO)

1.0

V

 

Maximum reverse and direct leakage current

 

IRM/IDM

TJ = 25 °C

 

VR = Rated VRRM/VDRM

0.5

 

 

mA

TJ = 125 °C

10

Holding current

IH

Anode supply = 6 V, resistive load, initial IT = 1 A

-

100

Maximum latching current

IL

Anode supply = 6 V, resistive load

200

Maximum rate of rise of off-state voltage

dV/dt

 

500

V/µs

Maximum rate of rise of turned-on current

dI/dt

 

150

A/µs

TRIGGERING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum peak gate power

PGM

 

8.0

 

W

Maximum average gate power

PG(AV)

 

2.0

Maximum peak positive gate current

+ IGM

 

1.5

A

Maximum peak negative gate voltage

- VGM

 

10

V

 

 

Maximum required DC gate current to trigger

 

 

IGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

60

 

 

mA

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

45

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

20

 

Maximum required DC gate voltage to trigger

 

 

VGT

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = - 10 °C

2.5

 

 

V

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 25 °C

2.0

Anode supply = 6 V, resistive load, TJ = 125 °C

1.0

Maximum DC gate voltage not to trigger

VGD

 

TJ = 125 °C, VDRM = Rated value

0.25

Maximum DC gate current not to trigger

IGD

2.0

mA

SWITCHING

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Typical turn-on time

tgt

TJ = 25 °C

0.9

 

 

µs

Typical reverse recovery time

trr

 

TJ = 125 °C

4

Typical turn-off time

tq

110

THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

VALUES

UNITS

Maximum junction and storage temperature range

 

TJ, TStg

 

 

- 40 to 125

 

°C

Maximum thermal resistance, junction to case

 

RthJC

 

DC operation

 

1.1

 

 

 

°C/W

Maximum thermal resistance, junction to ambient

 

RthJA

 

 

62

Typical thermal resistance, case to heatsink

 

RthCS

 

Mounting surface, smooth and greased

 

0.5

 

Approximate weight

 

 

2

g

0.07

oz.

 

Mounting torque

minimum

 

 

6 (5)

kgf · cm

(lbf · in)

maximum

 

 

12 (10)

 

Marking device

 

 

Case style TO-220AB

25TTS08

25TTS12

2

Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR)

Envoyer Une Demande

John chang

Mr. John chang

Numéro De Téléphone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

Portable:+8613805278321Contact me with Whatsapp

E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

苏ICP备05018286号-1