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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR) > Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A

Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A
Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A
Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A
Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A

Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A

Prix ​​unitaire: USD 0.09 - 0.135 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 100 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours
Télécharger:

Informations de base

    Modèle: YZPST-BT151

    Certification: RoHS, CE, ISO, Autre

    IT(AV): 7.5A

    VDRM / VRRM: ≥ 600V

    IGT: 1 To 20mA

    IT(RMS): 12A

    ITSM: 100A

Additional Info

    Détails d'emballage: Pour plus d'informations sur les produits et les transactions, veuillez contacter notre adresse e-mail: info@yzpst.com

    productivité: 10000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 10000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit

SCRS

YZPST-BT151

Redresseur contrôlé au silicium YZPST-BT151 SCR 7,5 A



● Fonction principale (Tjj = 2255 ℃)

Symbol

Value

Unit

IT(AV)

7.5

A

VDRM / VRRM

 600

V

IGT

1 to 20

mA


● Notations absolues (valeurs limites)

Symbol

Parameter

Value

Unit

IT(RMS)

RMS on-state current (180°conduction angle)

12

A

IT(AV)

AV on-state current (180°conduction angle)

7.5

A

ITSM

Non repetitive surge peak on-state

Current (tp=10ms)

100

A

I2t

 (tp=10ms)

50

A2S

IGM

Peak gate current(tp=20us)

2

A

PGM

Peak gate power

5

W

PG(AV)

Average gate power

0.5

W

Tstg

Tj

Storage temperature

Operating junction temperature

-40--+150

-40--+125


● Résistances thermiques

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth (j-c)

Junction to case

1.3

K/W

Rth (j-a)

Junction to ambient

60

K/W

● Caractéristiques électriques (Tj = 25 ℃ sauf indication contraire)

Symbol

Test Conditions

Value

Unit

Min

Type

Max

IGT

VD=6V, RL=100Ω

1

5

20

uA

VGT

VD=12V, RL=100Ω

-----

0.7

0.8

V

VGD

VD=VDRM, RL=3.3KΩ Tj=110

0.2

-----

-----

V

IH

IT=100mA  Gate Open

-----

9

20

mA

dV/dt

VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=125

50

125

-----

v/μs

VTM

IT=16A,tp=380μs

-----

-----

1.7

V

IDRM

IRRM

VD=VDRM

VR=VRRM

Tj=25

-----

-----

20

uA

Tj=110

-----

-----

300

uA

● Mesure du colis (TO-220E)

YZPST-BT151-1












Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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