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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR) > Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR

Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR
Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR
Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR
Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR

Niveaux de déclenchement très sensibles X0405 SCR

Prix ​​unitaire: USD 0.11 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 1000 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-X0405

    IT(RMS): 4.0A

    VDRM VRRM: 600V

    IGT: 200µA

    Tstg: -40 ~150℃

    TJ: -40~125℃

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 10000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: Shanghai

Description du produit


Redresseur contrôlé au silicium (SCR)

YZPST-X0405

LA DESCRIPTION:

Grâce à des niveaux de déclenchement très sensibles, le

La série X0405 SCR convient à toutes les applications

où le courant de grille disponible est limité, comme

disjoncteurs de fuite à la terre, surtension

protection du pied de biche dans les alimentations de faible puissance,

circuits d'allumage capacitifs, ...


CARACTÉRISTIQUES PRINCIPALES

Symbol

Value

Unit

IT(RMS)

4.0

A

VDRM VRRM

600

V

IGT

200

µA

NOTATIONS MAXIMALES ABSOLUES


Parameter

Symbol

Value

Unit

Storage junctiontemperature range

Tstg

-40 ~150

Operating junction temperature range

Tj

-40~125

Repetitive peak off-state voltage (T =25℃)

VDRM

600

V

Repetitive peak reverse voltage (T =25℃)

VRRM

600

V

Non repetitive surge peak Off-state voltage

VDSM

VDRM +100

V

Non repetitive peak reverse voltage

VRSM

VRRM +100

V

RMS on-state current (T =60℃)

IT(RMS)

4.0

A

Non repetitive surge peak on-state current

(180° conduction angle, F=50Hz)

ITSM

30

A

Average on-state current (180° conduction angle)

IT(AV)

2.5

A

I2t value for fusing (tp=10ms)

I2t

4.5

A2S

Critical rate of rise of on-state current

(I =2×IGT, tr 100 ns)

dI/dt

50

A/μS

Peak gate current

IGM

1.2

A

Average gate power dissipation

PG(AV)

0.2

W

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (T = 25 ℃ sauf indication contraire)

Symbol

Test Condition

 

Value

Unit

IGT

V =12V R =140Ω

MAX.

200

µA

VGT

MAX.

0.8

V

VGD

VD=VDRM Tj=125℃ R=1KΩ

MIN.

0.1

V

IL

IG=1.2IGT

MAX.

6

mA

IH

IT=50mA

MAX.

5

mA

dV/dt

VD=2/3VDRM Gate Open  Tj=125℃

MIN.

15

V/μs

CARACTÉRISTIQUES STATIQUES

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

VTM

ITM =8.0A tp=380μs

Tj =25℃

1.8

V

IDRM

VD=VDRM VR=VRRM

 

Tj =25℃

5

μA

IRRM

Tj =125℃

1

mA

Résistances thermiques

Symbol

Parameter

Value(MAX.)

Unit

Rth(j-a)

junction to  ambient

60

℃/W

Rth(j-t)

Junction to tab (DC)

20

Schéma d'information de commande

YZPST-X0405


Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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