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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Contrôle de phase des redresseurs contrôlés au silicium 800V

Contrôle de phase des redresseurs contrôlés au silicium 800V

Prix ​​unitaire: USD 0.3 - 0.4 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 2000 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 10000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 100000

    Certificats : ISO9001-2015,ROHS

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

SCR CONTRÔLE PH ASE

YZPST-25TTS08

Description / caractéristiques

Les 25TTS08 des redresseurs contrôlés au silicium sont spécialement conçus pour les applications de commutation de puissance moyenne et de contrôle de phase. La technologie de passivation du verre utilisée offre un fonctionnement fiable jusqu'à une température de jonction de 125 oC.

Les applications typiques sont le redressement d'entrée (démarrage progressif) et ces produits sont conçus pour être utilisés avec des diodes d'entrée, des commutateurs et des redresseurs de sortie d'International Rectifier qui sont disponibles dans des contours identiques.

COTES MAXIMALES ABSOLUES (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Typ

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

800

 

V

Average on-state current

IT(AV)

16

A

RMS on-state current

IT(RMS)

25

A

 

Non-repetitive peak on-state current

 

ITSM

 

300

 

A

Max. Operating Junction

Temperature

 

Tj

 

110

 

oC

Storage Temperature

Tstg

-45~150

oC

1



CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES (Ta = 25 OC)

Parameter

 

Symbol

 

Test  Conditions

 

Min

 

Typ

 

Max

 

Unit

 

Repetitive peak off-state voltages

VDRM

VRRM

 

 

-

 

800

 

-

 

V

 

Average on-state current

 

IT(AV)

 

o

 

-

 

16

 

-

 

A

 

RMS on-state current

 

IT(RMS)

 

all conduction angles

 

-

 

25

 

-

 

A

 

On-state voltage

 

VTM

 

o

 

-

 

-

 

1.25

 

V

Holding current

IH

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

100

mA

Latching current

IL

VD =12 V; IGT = 0.1 A

 

-

 

-

200

mA

 

Gate trigger current

 

IGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

45

 

mA

 

Gate trigger voltage

 

VGT

 

VD =12 V; IT = 0.1 A

 

-

 

-

 

2.0

 

V


Groupes de Produits : Paquet en plastique de semi-conducteur > Redresseur contrôlé par silicium (SCR)

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Fax:86-514-87782297

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