Transistor en silicium

Commutation rapide 500 V MOSFET POWER NANNEL

USD 0.19 ~ USD 0.25

P / N: YZPST-SP13N50KF MOSFET POWER 500V N-Channel CARACTÉRISTIQUES Commutation rapide Testé à 100% d'avalanche Amélioration de la capacité DV / DT APPLICATIONS Alimentation en mode commutateur (SMPS) Alimentation sans interruption (UPS)...

Tension de blocage élevée M1A080120L1 à 247-4 MOSFET POWER DE POWER DE LA POWER N-CANNAL

USD 4.2 ~ USD 4.5

MOSFET POWER SIC-CHANNEL P / N: YZPST-M1A080120L1 Caractéristiques Tension de blocage élevée avec faible résistance Commutation à grande vitesse avec une faible capacité Facile à parallèle et simple à conduire Avantages Efficacité du système plus...

TO-126 BD140-16 est les transistors PNP planaires épitaxiaux en silicium

USD 0.02 ~ USD 0.03

Transistor de silicium PNP Yzpst-bd140-16 TO-126 BD140-16 est les transistors PNP planaires épitaxiaux en silicium DESCRIPTION Le BD140-16 est des transistors PNP planaires épitaxiaux en silicium Dans le package en plastique Jedec TO-126, conçu pour...

USD 0.06 ~ USD 0.08

2SC5200 NPN Transistor complémentaire de 2SA1943 TO-3PL

USD 1.15 ~ USD 1.5

Transistor de type NPN 2SC5200 1. 2SC5200 est le transistor de type NPN, complémentaire à 2SA1943, utilisé dans les circuits d'amplification de la puissance audio et de conversion de puissance. Formulaire d'emballage: TO-3PL 2....

USD 0.02 ~ USD 0.03

À 220f 2SA1930 Silicon PNP Transistor High Ft complémentaire Paire avec 2SC5171

USD 0.65 ~ USD 0.95

Transistor PNP de silicium dans un ensemble en plastique à 220F. P / N: YZPST-2SA1930 Transistor PNP de silicium dans un ensemble en plastique à 220F. Caractéristiques Paire complémentaire à haut FT avec 2SC5171. À 220f 2SA1930 Silicon PNP...

SS8550 TO-92 TRANSISTORS D'ENCAPSULATION PLASTIQUE NPN

USD 8 ~ USD 9.5

TO-92 Transistors encapsulants en plastique Transistor YZPST-SS8550 (PNP) Caractéristiques Dissipation de puissance PC: 1W (TA = 25 ℃) O rder i ng I nf o rmat i o n Max 1 maman Rat 1 ng ( T a = 25 ℃ sauf si autrement noté ) T a = 25 ℃ sauf...

650v 100a Trench Field Stop Technology Igbt

USD 3.5 ~ USD 4.5

Tranchée Technologie à arrêts sur le terrain IGBT Yzpst-d100h065at1s3 Caractéristiques 650V, 100A VCE (SAT) (Typ.) =1.75v@vge=15V, IC = 100A Température maximale de la jonction 175 Placage de plomb sans PB; Rohs conforme Applications Convertisseurs...

BC556 BC557 BC558 TO-92 NPN du transistor d'encapsulat plastique

USD 7.2 ~ USD 8.8

TO-92 Transistors encapsulants en plastique YZPST-BC556 / BC557 / BC558 Transistor (PNP) CARACTÉRISTIQUES Haute tension Complément à BC546, BC547, BC548 Commande INFORMATION MAXIMUM Notes ( t a = 25 τ sauf sinon noté ) T a = 25 τ sauf si sinon...

S9013 TO-92 TRANSISTOR NPN complémentaire de S9012

USD 8.1 ~ USD 9.5

TO-92 Transistors encapsulants en plastique Transistor YZPST-S9013 (NPN) CARACTÉRISTIQUES Complémentaire de S9012 Excellente linéarité HFE INFORMATIONS DE COMMANDE Notes maximales (TA = 25 ℃ sauf indication contraire) T a = 25 ℃ sauf indication...

Haute tension à 92 transistor encapsulant NPN BC556 BC557 BC558

USD 7.2 ~ USD 8.8

TO-92 Transistors encapsulants en plastique YZPST-BC546 / BC547 / BC548 Transistor (NPN) CARACTÉRISTIQUES Haute tension Complément à BC556, BC557, BC558 Commande INFORMATION MAXIMUM Notes ( t a = 25 τ sauf sinon noté ) T a = 25 τ sauf si sinon...

TO-92 TRANSISTOR PNAPSULATE PLASTIQUE PNP 2N3906

USD 6.9 ~ USD 8.5

TO-92 Transistors encapsulants en plastique Transistor YZPST-2N3904 (NPN) FONCTIONNALITÉ Transistor plane épitaxial de silicium NPN pour la commutation et Applications d'amplificateur En tant que type complémentaire, le transistor PNP 2N3906 est...

Silicon PNP Darlington Power Transistor

USD 0.55 ~ USD 0.72

Silicon PNP Darlington Power Transistor Yzpst-fw26025a Silicon PNP Darlington Power Transistor LA DESCRIPTION · Gain de courant à courant continu élevé : hfe = 5000 (min) @ ic = -2a · Tension de maintien collecteur-émitteur- : Vceo (sus) = -100v...

Technologie d'arrêt de champ de tranchée 600V IGBT 6A

USD 0.28 ~ USD 0.33

Technologie d'arrêt de champ de tranchée IGBT YZPST-6H60CX1G3 Caractéristiques 600V, 6A V CE(sat)(typ.) =1.75V@V GE =15V, I C = 6A G Q Low Température de jonction maximale 175 ℃ Placage au plomb sans plomb ; RoHS Conforme Applications...

Commutation haute vitesse 600V 15A IGBT TO-220F

USD 0.48 ~ USD 0.68

Caractéristiques 600V, 15A V CE(sat)(typ.) =1.8V@V GE =15V,I C =15A Grande vitesse commutation Système supérieur Efficacité Coupure du courant doux formes d'onde Carré RBSOA Description générale Les IGBT à tranchée YZPST offrent des pertes...

transistors de puissance au silicium complémentaires 2N3055 / MJ2955

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transistors de puissance au silicium complémentaires 2N3055 / MJ2955 LA DESCRIPTION Le 2N3055 est un transistor NPN planaire à base épitaxiale en silicium monté dans un boîtier métallique Jedec TO-3. Il est destiné aux circuits de commutation de...

Transistors à encapsulation plastique à haute fréquence de transition BFR93A

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Transistors à encapsulation plastique à haute fréquence de transition BFR93A Transistors à encapsulation plastique YZPST-BFR93A Caractéristiques 1. Fréquence de transition élevée. (Typ.f T = 1,5 GHz ) 2. petit rbb`Cc et haut gain. (Typ.4ps) 3. Petit...

Transistor transitoire faible tapacitance série SMC 1500W

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SMC Series 1500W Low CapacitanceTransient Suppresseur de tension YZPST-SMCJ (G) LCE7.5A-TVS Description du produit LA DESCRIPTION: Cette famille de produits de suppresseur de tension transitoire (TVS) haute fiabilité à montage en surface comprend...

Transistor de puissance basse tension à usage général BD139

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Transistor basse tension complémentaire YZPST-BD139 Caractéristiques ■ Les produits sont présélectionnés en gain de courant continu Application ■ but général La description Ces transistors plans épitaxiaux sont montés dans un boîtier en plastique...

85A allume-cigare électronique charge Mosfet 85N03

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Allume-cigarette électronique Mosfet YZPST-85N03 85A allume-cigare électronique commutateur de charge Mosfet Mosfet 85N03 Remarques: 1. Test d'impulsion: largeur d'impulsion ≦ 300μs, cycle de service 2%. 2. RΘJA est la somme de la résistance...

Allume-cigare électronique 30V Mosfet 80N03

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Allume-cigarette électronique Mosfet YZPST-80N03 Remarques: 1. Les données testées sont montées en surface sur une carte FR-4 de 1 pouce2 avec du cuivre 2OZ. 2. Les données testées par impulsions, largeur d'impulsion ≦ 300us, rapport cyclique 2%...

À 126 transistors équivalents NPN de transistor

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Transistors d'encapsulation en plastique TO-126 YZPST-FJE5304 Commutateur d'alimentation haute tension haute vitesse Application • Large zone de sécurité • Diode à roue libre intégrée • Convient à l'application de ballast électronique •...

Transistors à régulateur de tension positive 1A à 3 bornes

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3- T e rm i n u e 1A Régulateur de tension positive YZPST-L7905CV DESCRIPTION GÉNÉRALE La série L7905CV de régulateurs positifs à trois bornes est disponible dans le boîtier TO-220 et avec plusieurs tensions de sortie fixes, ce qui les rend utiles...