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Low RDS 480A Power MOSFET module factory and manufacturer
Low RDS 480A Power MOSFET module factory and manufacturer
Low RDS 480A Power MOSFET module factory and manufacturer

Low RDS 480A Power MOSFET module factory and manufacturer

Prix ​​unitaire: USD 23 - 27.5 / Bag/Bags
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 10 Bag/Bags
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-IXFN520N075T2

    VGS: ±30V

    VDSS: 900V 

    ID25: 33A

    PD: 695W

    VGS(th): 6.5V(max.)

Additional Info

    productivité: 1000

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: China

    Capacité d'approvisionnement: 10000

    Certificats : ISO9001-2008,ROHS

    Code SH: 85413000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

Power MOSFET

: YZPST-IXFN520N075T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

YZPST-IXFN520N075T2-1

Product parameters
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
FET Type
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
VDSS
TJ = 25°C to 150°C
75V 
VGS
Continuous
±20V
ID25
TC = 25°C (Chip Capability)
480A
PD
TC = 25°C
940W
VGS(th)
VDS = VGS, ID = 8mA
5.0V(max.)
IDSS
TJ= 125°C
2mA
Ciss
VGS = 0 V, VDS = 25 V, f = 1 MHz
41pF
Qg(on)
VGS = 10V, VDS = 0.5 • VDSS, ID = 260A
545nC
TJ
﹣55℃~150℃
Mounting Type
Chassis Mount
Supplier Device Package
SOT-227B
Package / Case
SOT-227-4, miniBLOC

Features

International Standard Package
miniBLOC, with Aluminium Nitride
Isolation
175°C Operating Temperature
Isolation Voltage 2500 V~
High Current Handling Capability
Fast Intrinsic Diode
Avalanche Rated
Low RDS(on)

Applications

DC-DC Converters and Off-Line UPS
Primary-Side Switch
High Speed Power Switching

Advantages

Easy to Mount
Space Savings
High Power Density

YZPST-IXFN520N075T2-2YZPST-IXFN520N075T2-3






Groupes de Produits : Dispositifs de module à semi-conducteurs > Module de thyristor

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