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YANGZHOU POSITIONING TECH CO., LTD.

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Accueil > Liste de Produits > Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Diode de soudage > ZP18000A diode de soudure en céramique isolant 400V

ZP18000A diode de soudure en céramique isolant 400V

ZP18000A diode de soudure en céramique isolant 400V

Prix ​​unitaire: USD 55 / Piece/Pieces
Type de paiement: L/C,T/T,Paypal
Incoterm: FOB,CFR,CIF
Quantité de commande minimum: 10 Piece/Pieces
Délai de livraison: 30 jours

Informations de base

    Modèle: YZPST-ZP18000-04

Additional Info

    Détails d'emballage: 1. Emballage anti-électrostatique 2. Boîte en carton 3. Emballage de protection en plastique

    productivité: 100

    marque: YZPST

    transport: Ocean,Air

    Lieu d'origine: Chine

    Capacité d'approvisionnement: 500

    Certificats : ISO9001-2015,ROHS

    Code SH: 85411000

    Hafen: SHANGHAI

Description du produit

Diodes de soudage

YZPST-ZP18000-04

Caractéristiques:

Toutes les structures diffuses

. Haute densité de courant

. Très faible chute de tension à l'état passant

. boîtier métallique avec isolant en céramique

. Résistance thermique ultra basse

CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES ET CLASSEMENTS

Blocage - Etat bloqué

1

Remarques:

Toutes les valeurs nominales sont spécifiées pour Tj = 25 oC, sauf indication contraire.

(1) Demi sinus, f = 50Hz, Tj = -40 à + 170 ° C.

(2) Demi sinus, 10 ms, Tj = -40 à + 170 ° C.

(3) Température de jonction maximale: Tj = 170 oC.

(4) Les paramètres sont définis ci-dessous:

2


Conduisant - en état

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IF(AV)

18000

A

sine,180o Conduction angle,Tc =85oC

RMS value of on-state current

IF(RMS)

28200

A

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

IFSM

135000

A

10.0 msec ,sine, 180o Conduction angle, Tj = 170 oC

I2t

I2t

91100000

A2s

10.0 msec, sine, Tj = 170 oC

Peak on-state voltage

VFM

1.08

0.97

V

IFM =12000 A; 25 oC IFM =5000 A; 25 oC

Threshold votage

VTO

0.74

V

Tj = 170 oC

Slope resistance

rT

0.016

mΩ

Tj = 170 oC

Reverse Recovery Current (4)

IRM(REC)

A

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Charge (4)

Qrr

mC

IFM = 1000 A; dIF/dt = 10 A/ms;Tjmax

Reverse Recovery Time (4)

tRR

ms

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES ET MÉCANIQUES

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating junction temperature range

Tj

-40

+170

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+170

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

0.004

o

C/W

Double sided cooled

Thermal resistance - case to sink

RQ (j-c)

0.008

o

C/W

Single sided cooled

Creepage distance on the surface

DS

8

mm

Air breakdown distance

Da

8

mm

Mounting force

F

36

44

kN

Weight

W

578

g

PLAN DE CAS ET DIMENSIONS

3







Groupes de Produits : Disques à semi-conducteurs (type à capsule) > Diode de soudage

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Numéro De Téléphone:86-514-87782298

Fax:86-514-87782297

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E-mail :info@yzpst.com

Adresse De Compagnie: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu

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